Elektronika pro 3. ročník SPŠEI
Menu
Úvod
Elektronický obvod
Desky s plošnými spoji
Monolitické integrované obvody
Obvodové veličiny
Maxwellovy rovnice v Integrálním tvaru
Elektrické pole v uzavřené smyčce
Řešení obvodových veličin
Příklad na Theveninovu větu
Číselný příklad na Theveninovu větu
Příklad na Kirchhoffovy zákony
Číselný příklad na Kirchhoffovy zákony
Příklad na Metodu smyčkových proudů
Číselný příklad na metodu smyčkových proudů
Příklad na Metodu uzlových napětí
Číselný příklad na Metodu uzlových napětí
Obvodové součástky
Typické dvojpóly
Kapacita kondenzátoru
Dvojpóly ve střídavém obvodu
Dvojpóly ve střídavém obvodu jako komplexní čísla
Impedance a admitance
Charakteristiky sériového rezonančního obvodu
Dvojbrany
Ideální zdroje
Zatěžovací charakteristika zdroje
Vnitřní odpor zdroje
Theveninova věta
Nortonova věta
Odporový dělič
Uzlová napětí
Smyčkové proudy
Lineární superpozice
Nelineární obvody
Rezistory
Kondenzátory
Cívky
Transformátor
Řešení soustavy n lineárních rovnic o n neznámých
Číselný příklad na Inverzi matice
Determinant matice 4x4
Inverze matice 4x4
Kvantování elektronových slupek
Štěpení energetických hladin při přibližování atomů
Polovodiče
Pásová struktura křemíku
Závislost energie elektronu na hybnosti v polovodiči
Směrová závislost pásové struktury
Závislost Fermiho hladiny na teplotě
Bezpříměsový polovodič
Koncentrace nositelů náboje v křemíku
Měřené ionizační energie v křemíku
Donory a Akceptory
Fyzikální princip vodivosti v polovodičích
Fermiho hladina v polovodičích
PN přechod
Odvození difuzního potenciálu PN přechodu z Gaussovy věty
Dioda
Parametry diod
Typy diod
Tranzistor
Shockleyho zapojení tranzistoru
Tranzistory s driftem v bázi
Základní zapojení tranzistoru
Základní parametry tranzistoru
Hybridní parametry tranzistoru
Admitanční parametry tranzistoru
Darlingtonovo zapojení
Unipolární tranzistor
Druhy unipolárních tranzistorů
Výstupní charakteristika Unipolárního tranzistoru
Parametry unipolárního tranzistoru
Tranzistor MOSFET
Výstupní charakteristiky MOSFET
Parametry MOSFET
Zenerova dioda
Závěrné charakteristiky Zenerovy diody
Jev kvantového tunelování
Kvantové tunelování na PN přechodu
Tyristory
Voltampérová charakteristika tyristoru
Parametry tyristoru v závěrné oblasti
Parametry tyristoru v propustné oblasti
Parametry tyristoru na hradle
Pásová struktura a profil dopantu v tyristoru
Oblast prostorového náboje tyristoru
Planární technologie tyristoru
Tyristor BT149D
Obousměrný tyristor
DIAK
Obousměrný trojpólový tyristor
TRIAK
Kombinace spínání TRIAKu
Odvození fotoproudu
Fotodioda
Spektrální citlivost oka a polovodičů
Závislost zakázaného pásu GaAsP na složení
Struktura LED diody
PIN dioda
Fototranzistor
Fotorezistor
Fotorezistor LDR5516
Termistor
Magnetorezistor
Hallova sonda
Přepěťové ochrany v elektronice
Transil a Trisil
Přepěťové ochrany v rozvodech
Vyfukovací trubice, Průrazka
Integrované obvody - dělení
Integrované obvody - příklady
Výroba integrovaných obvodů
Czochralského metoda růstu monokrystalického křemíku
Technologie maskování integrovaných obvodů
Princip reakce fotorezistu
Fotolitografie
Technologie výroby integrované diody
Technologie výrobu tranzistoru
Tranzistory s vysokým stupněm integrace
Tranzistory VLSI v perspektivním zobrazení
Depozice utopené vrstvy
Depozice báze a emitoru
Tranzistor MOSFET v perspektivním zobrazení
Integrovaný tranzistor MOSFET
Integrované rezistory
Integrované cívky
Zobrazovací jednotky a displeje
Zobrazovací jednotky s malou hustotou informace
Zobrazovací jednotky s velkou hustotou informace
LCD displeje s aktivními maticemi
OLED displeje
Nábojově vázané senzory CCD
Nabíjení a vybíjení kondenzátoru v RC obvodu
Magnetizace a demagnetizace cívky v RL obvodu
Derivační a Integrační článek
Pásmová propusť
Horní a dolní propusť
Odvození pásmové propusti
Graetzův dvoucestný usměrňovač
Více
Vytvořte si webové stránky zdarma!
Tento web je vytvořený pomocí Webnode.
Vytvořte si vlastní stránky
zdarma ještě dnes!
Vytvořit stránky
